存储芯片行业深度陈说：算力拉动，拐点提早

（陈说出品方/作者：国盛证券，郑震湘、佘凌星）
一、AI 带动存力芯片用量快速提升

1.1 AI 带动算力及存力需求快速提升
ChatGPT 是 OpenAI 开辟的一款聊天机械人，可以更高条理了解人类需求并处置复杂问 题。ChatGPT 基于 Transformer 架构算法，可用于处置序列数据模子，经过毗连实在世 界中大量的语料库来练习模子，可停止说话了解并经过文本输出，做到与真君子类几近 无异的聊天场景停止交换。 ChatGPT 利用处景普遍，外洋已有龙头落地成功案例： 1）笔墨创意的天生：快速天生文章段落机关。 2）客服系统：与客户更流利的交换。 3）虚拟人物对话：传统虚拟人物会设定对话标准答案，ChatGPT 可以更自然实在地与人 对话。 4）连系 Office 软件：天生文档、表格、PPT 等。 5）搜索：替换部分搜索需求。 6）征询范畴：供给值得斟酌或探讨的标的目标。 ChatGPT 外洋已有益用计划落地：为 BuzzFeed 供给本性化测试效力以及为 Amazon 解 决工程师技术困难等。
ChatGPT 带动算力需求飙升，存算侧硬件周全增量需求。据 NVIDIA 预算，练习 GPT3，假定单个机械的显存/内存容量充足的条件下，8 张 V100 显卡练习时长估量达 36 年， 1024 张 80GBA100 显卡无缺练习 GPT-3 的时长为 1 个月，算力侧硬件需责备面增加。
ChatGPT4 多模态归纳，算力需求进一步激增。ChatGPT4 为多模态模子，利用图像、 视频等多媒体数据停止练习，文件巨细远超笔墨，进一步驱动算力需求飙升。以 LAION5B 图文数据集为例，其包括 58.5 亿个 CLIP 过滤的图像文本数据集，我们以为图像、视 频类练习数据将驱动算力需求进一步飙升。此外，大模子练习需要海量数据传输，由此 将对以效力器交换机为代表的数据传输装备发生更多需求，相关高算力芯片需求量将相 应增加。



高算力时代，Chiplet 助力打破芯片制程瓶颈。在速度方面，采用 3D 封装技术的 chiplet 收缩了线路传输间隔，指令的响应速度获得大幅提升，寄素性电容和电感也得以下降， 此外，更多更麋集的 I/O 接点数，电路密度提升将进步功率密度。3D 封装由于采用更细 小、更麋集的电路，信号传输不需要过量的电信号，从而功耗也会响应下降。
整体来看，ChatGPT 将从算力侧和数据传输端周全带动显卡及高算力芯片需求，由此将 从算力芯片、利用端、存算一体、先辈封装、封装装备、IC 载板等多个范畴带动硬件市 场增量需求。
1.2 AI 效力器需求快速增加，有望带动存储行业逆境修复
按照中商财富研讨院数据，2021 年全球效力器出货量达 1315 万台，同比增加 7.8%， 对应全球市场范围达 995 亿美圆。按照 Counterpoint 估量，2022 年全球效力器市场规 模有望到达 1117 亿美圆，同比增加 17.0%。估量云效力供给商数据中心扩大增加驱动 力首要来自于汽车、5G、云游戏和高性能计较。
AI 效力器渗透率照旧较低，增漫空间宏大。按照 TrendForce 数据，停止 2022 年全球搭 载 GPGPU 的 AI 效力器（推理）出货量占整体效力器比重约 1%，同时 TrendForce 猜测 2023 年陪伴 AI 相关利用加持，年出货量增速到达 8%，2022~2026 年 CAGR 为 10.8%。 按照 TrendForce 数据，2022 年全球 AI 效力器采购中，Microsoft、Google、Meta、AWS 为前四大采购商，合计占比 66.2%。中国地域 ByteDance（字节跳动）采购比例最高， 到达 6.2%。



野生智能已成为处置艰难营业应战的首选处置计划。AI 正在为各行各业的企业构造斥地 创新之路，从改良客户效力、优化供给链、获得贸易智能，到设想新产物和效力等。NVIDIA 作为 AI 根抵架构的先行者，NVIDIA DGX 系统可供给更强大、无缺的 AI 平台，将企业 构造的焦点想法付诸理论。今朝 AI 大范围练习方面，NVIDIA 推出的最新 DGX 系统包含 A100、H100、BasePOD、SuperPOD 四款产物，其中，DGX A100、DGX H100 为英伟达 当前效力于 AI 范畴的效力器产物。
H100 采用先辈工艺芯片采用台积电 4N 工艺+台积电 CoWoS 2.5D 封装，有 800 亿个晶 体管对照 A100 有 540 亿个晶体管，同时搭载了 HBM3 显存，可实现近 5TB/s 的内部互 联带宽。H100 是首款支撑 PCIe 5.0 的 GPU，也是首款采用 HBM3 标准的 GPU，单个 H100 可支撑 40Tb/s 的 IO 带宽，实现 3TB/s 的显存带宽。
DGX H100 带来性能的快速奔腾，经过全新张量处置格式 FP8 实现。其中 FP8 算力是 4PetaFLOPS，FP16 达 2PetaFLOPS，TF32 算力为 1PetaFLOPS，FP64 和 FP32 算力为 60TeraFLOPS。在 DGX H100 系统中，具有 8 颗 H100 GPU，整系统统显存带宽达 24TB/s， 硬件上支撑系统内存 2TB，及支撑 2 块 1.9TB 的 NVMe M.2 硬盘作为操纵系统及 8 块 3.84TB NVMe M.2 硬盘作为内部存储。按照官网信息，NVIDIA DGX H100 对照上一代产 品具有 6 倍的性能及 2 倍的收集速度和高速可扩大性，同时英伟达暗示今朝新款 DGX H100 已经周全投入消耗。
国内华为的昇腾 Atlas 800（型号 9010）练习效力器是基于昇腾 910+Intel Cascade Lake 的 AI 练习效力器，具有高计较密度、高能效比与高收集带宽易拓展、易打点等特点，该 效力器普遍利用于深度进修模子开辟和 AI 练习效力场景，适用于私有云、互联网、运营 商等需要大算力的行业范畴。AI 处置器昇腾 910 是一款具有超高算力的 AI 处置器，其 最大功耗为 310W，华为自研的达芬奇架构大大提升了其能效比。八位整数精度（INT8） 下的性能到达 640TOPS，16 位浮点数（FP16）下的性能到达 320 TFLOPS。
Atlas 800（型号 9010）练习效力器从设置来看，具有 8 个昇腾 910 模组，单模组支撑HBM2e技术，且具有32GB容量及1228GB/s传输速度，AI算力达2.24 PFLOPS FP16/1.76 PFLOPS FP16。当地存储支撑 2 个 2.5 SATA+8 个 2.5 SAS/SATA 或 2 个 2.5 SAS/SATA+6 个 2.5 NVMe。 AI 效力器带来存力硬件需求快速扩大。按照美光数据测算，野生智能效力器中 DRAM 内 容是普通效力器的 8 倍，NAND 内容将是普通效力器的 3 倍，而大容量及高速度存储器 将是算力数据迭代运算的重要根抵。我们以为，野生智能计较劲日益增加，对于 AI 效力 器硬件需求将进一步提升。从效力器硬件设置角度，HBM 技术将快速在 AI 效力器中普 及，其价格远高于现有根抵效力器设置，未来 AI 效力器需求将率领存储芯片显现量价齐 升的趋向。
1.3 外洋龙头减产缩支，国产化存储财富链或将加速计划
1. 美光科技
公司最新公布 2023 年 Q2 财报表露。2023 年 Q2 公司总支出约 36.93 亿美圆，环比下 降约 9.6%，同比下降约 52.6%，营业利润吃亏 22.13 亿美金。2023 年 Q2 会计期末库 存约为 81.29 亿美圆，较上一季度环比回落 2.75%，有望延续改良。2023 年 Q2 财年的 非 GAAP 每股吃亏为 1.91 美圆，低于上一季度的每股吃亏 0.04 美圆和上一年的每股收 益 2.14 美圆，其中 Q2 财政每股收益包含约 1.34 美圆的库存减记损失。 2023 年 Q2 财政的公司分存储芯片营业支出： a. DRAM：支出为 27 亿美圆，占总支出的 74%。DRAM 支出环比下降 4%，出货量在预 期范围内微增，其中价格下降约 20%。 b. NAND 支出为 8.85 亿美圆，占总支出的 24％。NAND 支出环比下降 20％，价格下降 在 20%范围内。



美光科技对于 2023 财年第三季度的 GAAP 支出指引为 37 亿±2 亿美圆，较 2022 财年 第三季度 GAAP 支出的 86.42 亿美圆同比下降约 57%，环比有望持平。公司以为财政业 绩已在 2023 年第二财季到达较低位置，并看好未来几个季度的财政业绩快速修复。在 履历整体市场及公司财政业绩低迷以后，公司估量将按照持久财政模子规复一般的增加 和盈利才能。
2. 三星电子
2023 年 4 月 7 日三星电子公布 2023 年 Q1 业绩，公司初步报表（未审计）估量 23Q1 营收 63 万亿韩元，yoy-19%，营业利润为 6000 亿韩元，同比-95.8%。 2022 全年公司业绩支出 302.23 万亿韩元，yoy+8.1%；毛利率 37.1%，yoy-3.4pcts； 研发用度率 8.2%，yoy+0.2pcts；营业利润 43.38 万亿韩元，yoy-16.0%；营业利润率 14.4%，yoy-4.1pcts；净利率 18.4%，yoy+4.1pcts。22Q4 单季度公司业绩支出 70.46 万亿韩元，yoy-8.0%，qoq-8.2%；毛利率 31.0%，yoy-10.3pcts，qoq-6.4pcts；研发费 用率 9.2%，yoy+0.8pcts，qoq+1.0pcts；营业利润 4.31 万亿韩元，yoy-68.9%，qoq60.3%；营业利润率 6.1%，yoy-12.0pcts，qoq-8.0pcts；净利率 33.8%，yoy+19.6pcts， qoq+21.6pcts。（净利率大幅提升主因前期与子公司股息相关的递延所得税欠债削减）
基于 2022 年全年公司分产物业绩： 1）DRAM：22Q4 ASP 下降了 30%，估量 23Q1 DRAM 市场显现低个位数下降，公司与 市场连结同步。 2）NAND：22Q4 ASP 下降了 20%，估量 23Q1 NAND 市场显现中个位数下降，公司表 现略优于市场水平。 3）出货量：移动端，22Q4 智妙手机出货量为 5800 万部，ASP 为 240 美圆，平板电脑出货量为 800 万部；估量 23Q1 智妙手机出货量和 ASP 将上升，但平板电脑出货量将下 降；电视端，22Q4 液晶电视销量增加了 15%，估量 23Q1 销量将下降 10%~15%。
3.海力士
2022 全年业绩支出 44.65 万亿韩元，yoy+4%；营业利润 7.01 万亿韩元，yoy-44%；营 业利润率 16%，yoy-13pcts；净利润 2.44 万亿韩元，yoy-75%。2022Q4 业绩支出 7.70 万亿韩元，yoy-38%，qoq-38%；营业吃亏 1.70 万亿韩元，上年同期为盈利 4.20 万亿 韩元；营业利润率-22%，上季度为 15%，客岁同期为 34%；净吃亏 3.52 万亿韩元，上 年同期为净盈利 3.32 万亿韩元。



分产物业绩
1）NAND：NAND 产物在 2022Q4 支出为 2.39 万亿韩元，占 2022Q4 公司总支出 31%。 从利用上来说，SSD&Mobile 共占 NAND 的利用支出的 90%，USB，Card 和其他的利用 占残剩的 10%。 2）DRAM：DRAM 产物在 2022Q4 支出为 4.62 万亿韩元，占 2022Q4 公司总支出 60%。 3 ） 从 应 用 上 来 讲 ， Server 占 DRAM 的 应 用 收 入 的 50% ， PC 占 20% ， Graphics,Consumer&Mobile 占利用支出的剩下 30%。
4.外洋公司本钱开支：
1）美光：率先公布颁发将削减投资计划。之前美光已大幅削减本钱开支，2023 年第二财季 将进一步削减 2023 财年本钱开支，今朝估量投资约 70 亿美圆，同比下降 40%，同时芯 片装备方面的支出削减最多达 50%，以放缓供给增加。 2）三星电子：公司暗示由于全球经济疲软以及客户专注于用完库存而放缓采购，内存需 求急剧下降，从而进一步影响了行业定价及公司业绩。基于现有供给保障，公司将把存 储芯片的产量降到一个较为平衡的水平。我们以为，公司相较之前减产态度有所改变， 短期内或有望削减消耗计划，但持久来看公司也将对根抵装备及研讨停止持久投资，以 确保其行业领先职位。 3）海力士：相比 2022 年海力士由于经济周期下行、装备交期等身分及芯片供给过剩， 9 月底初步对装备商停止砍单。据韩媒 BusinessKorea 报道，公司 2022 年本钱支出 19 万亿韩元，2023 年将大幅缩减本钱支出 50%。公司预期 2023 年 H2 整体存储行业需求 端或将苏醒，但本钱支出削减有助于公司灵敏运营营业。 美光、三星、海力士对于行业价格及景心胸预估将在 23 年 H2 规复，各家公司减产及缩 减本钱开支有益行业快速触底反弹。我们以为，行业周期属性明显，缩减本钱开支是周 期的一部分，可以有用改良供需错配关系，优化行业格式和过剩产能，同时敦促行业从 周期底部向上修复。
5.中国网信网通告对美光公司在华销售停止安好检查
按照 2023 年 3 月 31 日，中国网信网通告，为保障关键信息根抵装备供给链安好，防御 产物题目隐患组成收集安好风险，保护国家安好，按照《中华群众共和国国家安好法》 《中华群众共和国收集安好法》，收集安好检查究公室按照《收集安好检查法子》，对美 光公司（Micron）在华销售的产物实施收集安好检查。 国产化存储财富链迎来计划时辰。我们以为，随我国存储财富计划慢慢完善，国内将对 美光及一部分国外公司的依靠度将慢慢下降，国内存储财富链公司有望快速兴起。 1）AI 效力器带来存力硬件需求上行：按照美光数据测算，野生智能效力器中 DRAM 内 容是普通效力器的 8 倍，NAND 内容将是普通效力器的 3 倍，而大容量存储器将是算力 数据迭代运算的重要根抵。 2）库存边沿改良，价格修复在即：美光 2023 年 Q2 会计期末库存约为 81.29 亿美金， 同比下降 2.75%，有望延续改良。AI 效力器有望带动存储行业景心胸及需求快速提升， 加速存储行业库存进一步清出。按照 TrendForce 数据，美光及 SK 海力士在内的部分供 应商已启动 DRAM 减产计划，2023 年第二季度 DRAM 价格跌幅将收窄至 10%到 15%。 3）国产化存储财富链迎来计划时辰：国内存储财富链多元化计划，2023 年有望完成产 品机关快速升级。
二、DRAM：周期轮动，价格底部

2.1 DRAM：强周期属性，高把持格式
DRAM 系存储器第一大产物，占比全球贮存市场 53%的市场份额。DRAM 属于易失存储 器，多用于 cpu 和图像系统缓存的姑且数据存储，若断电则存储数据会损失。DRAM 产 品缓存空间越大则可同时处置和贮存的数据也响应更多，系电子装备不成或缺的组成部 分。



复盘 DRAM 历史周期变化情况，市场波动剧烈，周期属性较强。在曩昔 30 年中，DRAM 市场履历过多少轮的惊人增加和消灭性解体。2021年DRAM行业迎来42%的高速增加， 而按照 IC Insight 估量，2022 年 DRAM 行业增速转而下降 18%。
波动上升，市场范围呈增加趋向。DRAM 系千亿美金大市场，下流覆盖消耗、PC、效力器等众多范畴，行业范围在周期轮动中不竭上升。按照 IC Insight，2011 年全球 DRAM 市场范围为 296 亿美金，而 2022 年全球 DRAM 市场范围将达 758 亿美金，CAGR 达 8.9%。
DRAM 下流利用首要在智妙手机、PC 以及效力器三大范畴，美国和中国系前两大市场。 2021 年 DRAM 第一大利用范畴智妙手机占比 39%，第二大利用范畴效力器占比 34%， PC 端整体出货量同比 2020 年增加 14.8%，但受焦点配件价格高涨和办公需求萎缩的影 响，整体占比下降，仅为 13%。从地区散布看，美国和中国系 DRAM 前两大市场，2019 年合计份额超 70%。
强周期属性大浪淘沙，集合度不竭提升。在履历“需求提出-求过于供-价格上涨-产能扩 张-供给过剩-价格下跌-重新洗牌”的多轮周期来去后，当前全球 DRAM 厂商组成了以三 星电子（韩国）、SK 海力士(韩国)和美光(美国)三大巨头把持的排场。2021 年全球市场 份额中，三星、海力士、美光合计份额占比达 94%。



DDR 技术不竭演进，行业对于产物性能、内存容量和功耗的追求也越来越高，标准工作 电压越来越低，芯片容量越来越大，同时 IO 速度也越来越高。从最早的 128Mbps 的 DDR 展开到了现在的 6400Mbps 的 DDR5，每一代 DDR 产物的公布都陪伴着数据传输速度的 翻倍增加。
DRAM 产物中，DDR4 系当前支流，DDR5 接力入场。DRAM 产物有明显的新产物慢慢 取代老产物的趋向，老款 DRAM 慢慢转为利基型 DRAM 直至停产淘汰。第一代 DDR 产 品已停产，DDR2 在 2010 年占比高达 30%，而到了 2020 年仅占 1%，利用于利基市场。 当前 DRAM 市场 DDR4 系支流，2020 年占比达 78%左右。按照 Yole，两代内存之间的 过渡时候大约只需要两年，这意味着到 2023 年，DDR5 内存的市场份额将高于 DDR4。 而到 2026 年，DDR4 份额或将降至 5%以下。
2.2 行业隆冬，周期视角下的底部
2.2.1 供需端：需求短期期待修复，DRAM 厂商难逃行业隆冬
2022 年供需位元差加大，供大于求困局未破。按照 TrendForce，2023 年 DRAM 市场需 求位元长大率为 8.3%，系近年来初度低于 10%，远低于供给位元长大的 14.1%。因此 2023 年的 DRAM 市场在供过于求的形式或愈演愈烈，供大于求还是当前困局。
下流需求疲软，DRAM 市场范围延续多季度萎缩。2022 年疲弱的经济情况和高通胀率 下降了全球范围内小我电脑、智妙手机和其他消耗电子产物的需求，DRAM 需求也因此 下降。估量 2022 年下半年 DRAM 销售额将下降-40%至 293 亿美圆，而 2022 年上半年 销售额达 490 亿美圆。同时，按照 CFM 闪存市场，三季度存储市场范围环比大跌 29.72% 至 177.64 亿美圆，创 10 个季度新低，估量 2022 年 Q4 市场范围将进一步环比下跌。



2022 年 Q4 多厂贸易绩下行，行业均匀下跌达 30%。 三星：2022 年 Q4，DRAM 销售支出达 54.05 亿美圆，环比削减 23.6%，市场份额为 44.5%。DRAM Bit 出货量环比高个位数增加，ASP 环比下跌超 30%。 SK 海力士：2022 年 Q4，DRAM 支出达 34.07 亿美圆，环比削减 35.3%，DRAM 出货量 环比持平，ASP 下跌超 30%。 美光：2022 年 Q4，DRAM 支出为 28.29 亿美圆，环比下跌 41.2%，DRAM Bit 出货量环 比下降约 25%，DRAM ASP 环比削减 20%以上。 南亚科技：2022 年 Q4，DRAM 支出环比削减 30.3%至 2.53 亿美圆。 华邦电子:2022 年 Q4，DRAM 支出环比削减 29.8%至 1.06 亿美圆。
2.2.2 价格端：高水位库存+低需求市场，降价延续
库存端，以美光各季库存停止追踪，自 2021 年 Q1 初步，公司库存慢慢进入下降通道， 至 2021 年 Q4 到达底部。自此初步，受下流需求疲软影响，公司库存水位慢慢增加，至 2023Q1，公司库存水位已达近三年最高点，为 81.29 亿美圆，环比 2022 年 Q4 增幅超 18%。高库存水位下，各厂商去库存压力迫在眉睫，同时叠加需求疲软，间接致使 DRAM 市场产物价格大幅下跌。
供需对峙下，存储厂商惟有降价。按照 Trendforce，2023 年 Q1 下流各范畴产物价格均 有跨越 10%的下降。今朝来看，PC 制造商仍有 9 至 13 周的 DRAM 库存期待消化，但移 动装备范畴的库存水平相对安康，不外定价仍估量要下降 10-15%。由于消耗者对 DRAM 的需求低迷，供给商将销售的眼光投向了效力器方面，但是这却致使效力器 DRAM 库存 的大量聚积。
现货价：我们以 DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 产物为例，现货价格已至上一轮周期底部， 利基市场首要面向存储速度性能不太高的市场，上一轮 DDR3 周期价格上行系三星、海 力士等龙头厂商为准备利润更高的 DDR5 消耗，慢慢淘汰 DDR3 产能，致使 DDR3 短期 内供需失衡而至。一样，在本轮的 DDR3 价格下行周期中，三星放缓 line13 的 DDR3 产 能转换至 CIS，也给供给端带来更多压力。本轮底部区间，在行业面临隆冬，下流需求疲 软，供给过剩的布景下，价格反弹压力较大。



三、NAND Flash:市场有望快速修复

NAND Flash 作为非易失性存储，被普遍利用鄙人流装备材料贮存的利用范畴。NAND Flash 从特征来看断电后不会损失贮存信息特征，在消耗进程中支流产物已具有范围化、 标准化的才能，同时容量大、价格较低，现阶段作为支流的贮存介质，被普遍的利用于 智妙手机范畴、笔电范畴、效力器范畴及汽车范畴等。 从微不雅观机关底子组成来看，NAND Flash 的机关从小到大分袂为
cell-line-page-blockplane-die。例如三星型号为 K9K8G08U0A 的 Nand Flash，其内部有两个 K9F4G08U0A 的 chip，chip#1 和 chip#2，每个 K9F4G08U0A 的 chip 包括了 2 个 Plane，每个 Plane 是 2Gb bit，所以 K9F4G08U0A 的巨细是 2Gb×2 = 4Gb = 512MB，因此，K9K8G08U0A 内部有 2 个 K9F4G08U0A，大概说 4 个 Plane，总巨细是×256MB＝1GB。
经过下流范畴分别，其终极贮存介质的出货形状分别以 eMMC/UFS（首要利用在移动设 备）、SSD（首要利用在效力器和 PC）产物为主，及 SD/闪存盘（移动贮存 SD 卡及 U 盘） 为辅的产物装备中。在移动装备范畴，相较于 eMMC 的封装形式，UFS 封装的闪存有着更高的写入速度，更好的性能。智妙手机端从 eMMC 展开示阶段 UFS3.1 规格贮存，读 写速度进一步提升，远超于 eMMC 几倍的速度。SSD 产物则按照下流利用处景对容量和 速度的要求部分，分为消耗级、数据中心级和企业级固态硬盘。
按照闪存市场 CFM 数据，2021 年 NAND Flash 市场容量到达 5700 亿 GB，估量 2022 年 将增加 30%，到达 7410 亿 GB。其中，2021 年 NAND Flash 首要以利用于 mobile 市场 的 UFS、eMMC、eMCP 和 uMCP 产物为主的嵌入式存储产物，和利用于 PC 等消耗类渠 道市场的 cSSD、以及利用于效力器市场的 eSSD 产物为主，占比分袂为 39%、25%和 22%。按照 Trendforce 的数据统计，未来到 2023 年，智妙手机板块的需求将小幅度上 涨，而效力器的需求将大幅上涨，与此组成对应的则是在 PC 真个需求小幅下降。



3.1 NAND Flash 市场范围延续增加
按照中金企信统计数据，NAND Flash2020 年市场范围为 534.1 亿美圆，估量到 2025 年， 全球 NAND Flash 市场范围讲到达 931.9 亿美圆，2021 年至 2025 年，CAGR 增速 7.4%。 随着 PC 及智妙手机均匀贮存容量的上升，及产业装备、传感器、汽车系统和医疗系统等 装备中，野生智能和机械进修对海量数据处置需求增加，基于 NAND Flash 的贮存趋向也 将继续展开。
NAND Flash 技术不竭基于二维平面的 NAND 技术，也就是我们说的 2D NAND 闪存。2D 在平面上对晶体管尺寸停止微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩碰到物 理极限，现已面临瓶颈，到达展开极限。为了在保持性能的情况下实现容量提升，3D NAND 成为展开支流。按照 International business strategies 数据显现，2019 年，3D NAND 的渗透率为 72.6％，已远超 2D NAND，且未来仍将延续进步，估量 2025 年 3D NAND 将占闪存总市场的 97.5％。
3.2 期待下流需求规复，价格欲将企稳修复
3.2.1 供需端:财富链进一步集合，供需慢慢修复
NAND Flash 寡头职位慢慢增强，按照 Trendforce 数据显现，CR6 包含三星、铠侠、西部 数据、美光、英特尔、海力士整体市场范围占比约 99%，其中三星、铠侠、西部数据三 家行业龙头，约占比 70%的市场份额，在市场上有较大的影响力。
按照 Trendforce 数据的猜测，估量受益于下流新增需求的快速展开，NAND Flash 的需 求量也会有增加趋向。从行业供给格式来看，三星照旧占据较大的市场份额，但还未形 成绝对的寡头职位，且国内公司长江贮存也将延续展开，有望进一步提升市场份额。



位于四日市最早辈制程晶圆厂 Fab7 完工。此 Fab7 晶圆厂第一期的总投资约为 1 万亿日 元(约合群众币 487.97 亿元)，具有消耗第六代 162 层 NAND Flash 闪存和未来更先辈 3D NAND Flash 闪存的才能，计划于 2023 年头初步出货 162 层 NAND Flash 闪存。头部厂 商已正慢慢覆盖 3D NAND 236 及 256 层以致更高叠层工艺制程，延续技术迭代更新。
NAND Flash 需求端遭到全球野生智能和机械进修对海量数据处置，其市场范围正快速增 长。而 NAND Flash 首要覆盖的下流利用装备为手机、效力器、PC 及车载工控等，我们 以为，手机及 3C 产物的贮存容量和硬盘搭载率提升将敦促 NAND Flash 需求量延续增 高。对于效力器装备，云端贮存及处置数据场景越发增加，效力器需求量及单装备搭载 量一样敦促 NAND Flash 市场的需求量提升。除此传统需求范畴外，随着车载智能化的 慢慢提升，车载 NAND Flash 市场也有望迎来高速增加。
1)手机及传统 3C 产物，NAND 单机搭载量提升
近十年，智妙手机作为成熟市场，每年全球手机出货保持在 11 至 13 亿部左右，连结稳 定波动。而随手机智能化水平越发提升，其摄影摄像功用、高清显现功用及各类多功用 软件所消耗的贮存空间延续增加，用户对于手机的贮存空间越发增加。智妙手机市场对 应 Flash 市场的增加逻辑，首要来历于单机搭载量的延续提升。
按照 Counterpoint 数据显现，2020 年智妙手机 NAND 闪存均匀容量初度打破 100GB 大 关。在 iOS 和 Android 手机中有所分歧。在 iOS 手机中，2020 年第四时度的均匀 NAND 容量到达 140.9GB，而同期 Android 手机的均匀容量为 95.7GB。Android 手机的均匀容 量在曩昔几年中不竭在快速增加。2020 年 iOS 和 Android 手机的均匀容量分袂增加了 5.6%和 20.5%。同时按照 Trendforce 数据显现，预估 2023 年智妙手机 NAND Flash 单 机搭载容量年长大仍能保持 22.1%。我们以为，iPhone 产物组合仍全线往更高容量 1TB 挨近；Android 高端机种也跟进将 512GB 做为标准装备，中低端机贮存空间则随硬件规 格延续升级而进步，因此整体均匀容量仍有增漫空间。
全球 PC 市场（包含笔电、桌面 PC、工作站等）在 2020-2021 年时代迎来强换机周期且 居家办公刺激需求端提早消耗，按照 IDC 数据统计，2021 年全球 PC 出货量达 3.46 亿台。2022 年需求迎来疲软态势，按照 IDC 数据猜测，2022 年整体出货量将下滑至 2.93 亿台，同比下降 15.2%。 此外，由于消耗市场需求减缓，教育市场也获底子满足，及因经济情况弱化一样使商用 市场需求遭到挤压。按照 IDC 数据猜测，估量 2023 年全球 PC 市场将进一步萎缩。PC 加上平板电脑的整体市场预估 2023 年下降 2.6%，估量在 2024 年规复长大。



按照 IDC 数据，由于 2020-2021 年遭到居家办公的提早消耗影响，平板电脑（包含二合 一的可拆卸式平板在内）市场在 2020/2021 年出货量到达 1.65/1.69 亿部，同比增加 13.8%/2.4%。但随 2022 年消耗慢慢疲软，按照 IDC 数据，2022 年全球出货量同比下 滑 3.6%至 1.63 亿台。
PC 及移动平板电脑作为存量市场，整体年度出货量波动不大，底子保持亿部的出货量。 近些年随电脑固态硬盘替换传统硬盘趋向及单机贮存量提升，其中SSD搭载率有所提升。 据中国闪存市场 ChinaFlashMarket 数据，估量到 2018 年 SSD 240GB 价格与 1TB HDD 同价的，在笔记本电脑上的搭载率将到达 52%。到 2019 年 SSD 480GB 价格与 1TB HDD 同价的时辰，在笔记本电脑上的搭载率将到达 65%以上。此外，消耗类 SSD 在零售渠道 市场每个月也有 200 万片硬盘升级 SSD 的出货量。
据中国闪存市场数据显现，2020 年笔记本市场 SSD 的搭载率已经高达 80%，且 512GB SSD 出货量大幅增加。其中价位越发昂贵的中低端市场是其长大驱动力。
2)AI 带动效力器及云端数据贮存有望快速放量，进一步敦促 NAND Flash 需求
云计较时代市场的快速增加，云贮存、云计较的数据量不竭进步。在数字化时代的展开 下，随工作量的云上迁移和云当天时用的加速开辟，在移动互联网技术不竭迭代升级的 布景下，全球数据量显现爆发式增加。按照 IDC 数据显现，全球数据储量由 2016 年的 16ZB 增加至 2021 年的 54ZB，复合年均增加率为 27.5%，随着数字经济的不竭展开， 估量 2022 年全球数据储量将达 61ZB。
按照 Omdia 数据，云数据及企业级数据贮存需求将在 2026 年到达 5255 亿每 GB 当量， 2021 年至 2026 年，CAGR 将到达 33.0%。
3)车载 NAND Flash 有望受汽车智能化延续增加
2022 年全球新能源汽车销量打破万万。按照 Clean Technica 数据，2022 年全球新能源 汽车销量打破万万达 1009.12 万辆，占整体汽车市场 14%份额，其中比亚迪以 184.77 万辆的全年销售数据获得全球销量冠军。按照中国汽车产业协会数据，2023 年 1 月和 2 月我国新能源汽车月度销量分袂为 40.78 万辆和 52.50 万辆，由于 1-2 月为汽车销量传 统旺季，2023 年 1 月与 2 月销量与 2022 年 12 月 81.38 万辆的月销量相比仍有差异。 后续随着汽车电动化进程不竭深化，我们以为全球范围内新能源汽车销量将会保持高速 增加态势。



按照 IDC 及 IHS 数据显现，车用 DRAM 和 NAND 市场范围将从 2020 年的 20.4 亿和 12.6 亿，增加到 2025 年的 85 亿美圆和 61 亿美圆，估量年复合增加率为 33%和 37%。 车规级 NAND Flash 需要合适 AEC-Q100 等车规标准，随着汽车行业智能化、网联化的 演进，与 SOTA（软件在线升级），MaaS（出行即效力）得以实现，市场对车载存储的程 序和处置的数据量提出更多的新需求。 车用存储芯片范围长大的驱动身分，首要为三个方面，首先为智能座舱发生巨量数据交 互，其次是 ADAS 系统及车载文娱系统。随着自动驾驶的提高及自动驾驶品级的提升 （L2~L5），会发生大量的门路和情况数据，用于汇集车辆运转和周边情况数据的各类传 感器也会越来越多，包含摄像头、毫米波雷达、激光雷达等，按照安好和功用需要对数 据停止处置和保存，从而发生了大容量 NAND 存储的需求。英特尔估量，自动驾驶汽车 天天将发生 4000GB 的数据量，即再低品级的自动驾驶车辆也需要大量车载数据存储。 按照 Semico Research 数据显现，L1/L2 级此外自动驾驶需要 8GB 的 NAND 容量，而 L3 为 256GB，到 L5 的时辰需要 1TB，自动驾驶技术升级对 NAND 需求显现指数级的增加。
3.2.2 价格端：环比下降收窄，价格将慢慢企稳
斟酌到 NAND Flash 支流产物和利基产物的定位、单价和格式等不尽不异，我们对 NAND Flash 价格分支流产物和利基产物两大类停止跟踪。 支流价格：现货价增加后企稳，合约价自 2022 年 6 月初步下跌。 现货价：以 MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）为例， 履历 2022 年 4 月涨价后，价格慢慢企稳跌幅趋缓。停止 2023 年 4 月 7 日，以上两款 64Gb 和 32Gb 价格分袂为 3.85 美金和 2.13 美金。
合约价：以 MLC NAND Flash 128Gb（16Gx8）、MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）三款为例，从 2021 年 7 月价格稳定后，在 2022 年 6 月初步 显现价格下降，停止 2023 年 2 月 24 日，以上三款合约价分袂为 4.14/2.98/2.59 美金。
四、存储创新技术适配 AI 快速展开

4.1 HBM 打破技术瓶颈，慢慢凸显利用代价
4.1.1 HBM 堆叠技术进一步进步传输速度
高带宽存储器（英文：High Bandwidth Memory，缩写 HBM）是三星电子、超微半导体 和 SK 海力士倡议的一种基于 3D 仓库工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的 利用处所，用于图形处置器、收集交换及转发装备（如路由器、交换器）等。HBM 首要 是经过硅通孔（Through Silicon Via，简称“TSV”）技术停止芯片堆叠，以增加吞吐量并 抑制单一封装内带宽的限制，将数个 DRAM 裸片像楼层一样垂直堆叠。



HBM 有两个焦点特征： 1）DRAM 颗粒以 3D 封装方式垂直摆放。 2）3D DRAM 与 GPU/CPU 经过 interposer 合封，实现间接毗连。 这两个技术特征，目标是处置传统 DRAM 与 CPU/GPU 经过主板（Motherboard）毗连的 信号提早与电磁干扰。
HBM 对照其他 DRAM 内存（如 DDR4 或 GDDR6）相比，具有较宽内存总线。一个 HBM stack 由 4 个 DRAM die（4-Hi）堆叠而成，并具有 8 个 128 位信道（每个 die 上 2 个）， 总宽度为 1024 位。因此，具有四个 4-Hi HBM stack 的 GPU 将具有 4096 位宽度的内存 总线。相比之下，GDDR 存储器的总线宽度为 32 位，一样 16 个信道则只具有 512 位存 储器接口。HBM 支撑每个 package 的容量最多为 4GB。对照第一代 HBM，第二代高带 宽存储 HBM2，该标准指定了每个 stack 多达 8 个 die，将 pin 传输速度进步一倍来到 2 GT/s。保存 1024 位宽的存取，HBM2 可以到达每个 package 256GB/s 存储带宽。HBM2 标准答应每个 package 容量高达 8GB，其性能也是超于同期 DRAM 内存。
4.1.2 HBM 技术已敏捷展开，野生智能将带动技术快速打破
HBM 技术已经展开了很长时候。在 2013 年推出的高带宽内存（HBM）是一种高性能 3D 堆叠 SDRAM 架构，其数据传输速度约为 1Gbps。2016 年公布的 HBM2 继续了前一代产 品的特点，每个堆叠包括最多 8 个内存芯片，并将管脚传输速度提升一倍至 2Gbps。 HBM2 实现了每个封装 256GB/s 的内存带宽（DRAM 堆叠），支撑 HBM2 规格，每个封装 最大容量可达 8GB。首款利用高带宽存储器的装备是 AMD Radeon Fury 系列显现焦点。 2013 年 10 月，高带宽存储器正式被 JEDEC 采用为业界标准，第二代高带宽存储器（HBM2） 于 2016 年 1 月被 JEDEC 采用，同时 NVIDIA 在该年颁发的新款旗舰型 Tesla 运算加速 卡“Tesla P100”，AMD 的“Radeon RX Vega”系列及 Intel 的“Knight Landing”也采 用了第二代高带宽存储器。
2018 年末，JEDEC 公布颁发推出 HBM2E 标准，以满足增加的带宽和容量需求。当传输速度 提升至每管脚 3.6Gbps 时，HBM2E 可实现每堆叠 461GB/s 的内存带宽。此外，HBM2E 支撑最多 12 个 DRAM 的堆叠，内存容量最高可达每堆叠 24GB。HBM2E 具有实现宏大 内存带宽的才能。毗连到一个处置器的四块 HBM2E 内存堆叠将供给跨越 1.8TB/s 的带 宽。经过 3D 堆叠内存，可在极小的空间内满足高带宽和高容量需求。 NVIDIA 最新一代的 SXM4 A100 GPU 采用了 HBM2E 内存。从芯片内部机关图可见，A100 计较焦点两侧共有 6 个 HBM 内寄存置空间。在 SXM4 A100 GPU 公布时，NVIDIA 现实 上仅利用了其中 5 个 HBM 内寄存置空间，供给 40GB HBM2E 内存容量，这意味着每个 HBM2E 内存上堆叠了 8 个 1GB DRAM Die。对于升级版的 80GB SXM4 A100 GPU，每个 HBM2E 内存上则采用了 8 个 2GB DRAM Die 停止堆叠。
2022 年三星也公布器 HBM3 技术产物，在三星公布的门路图中，其单芯片接口宽度可达 1024bit，接口授输速度可达 6.4Gbps，相比上一代提升 1.8 倍，从而实现单芯片接口带 宽 819GB/s，假如利用 6 层堆叠可以实现 4.8TB/s 的总带宽。
我们以为 2024-2025 年随野生智能算力需求进一步提升，将快速进步对存储器件高带宽 的高传输速度要求，2024 年估量在不斟酌高级封装技术带来的高多层堆叠和内存宽度提 升下，将实现接口速度高达 7.2Gbps 的 HBM3p，从而将数据传输率相比这一代进一步提 升 10%，从而将堆叠的总带宽提升到 5TB/s 以上。我们以为，2025 年将看到更多搭载 HBM 下一代技术的产物退役于野生智能服及高算力装备中。



4.2 存算一体：嵌入计较才能，有用提升数据效力
4.2.1 存算一体，后摩尔时代展开的必定要求
存算一体（Computing in Memory）是在存储器中嵌入计较才能，以新的运算架构进 行二维和三维矩阵乘法/加法运算，即操纵存储器对数据停止计较，从而避免数据搬运 发生的“存储墙”和“功耗墙”，进步数据的并行和效力。典型冯诺依曼框架下，数据的 存储和计较是分隔的，处置器和存储器之间经过数据总线停止数据交换。在曩昔二十年， 处置器性能以每年大约 55%的速度提升，内存性能的提升速度每年只要 10%左右。结 果持久下来，不服衡的展开速度组成了当前的存储速度严重滞后于处置器的计较速度。 因此在存储器和处置器之间组成了“存储墙”，严重限制了芯片的整体性能。由于处置器 和存储器的分袂，在处置数据的进程中，首先需要将数据从存储器经过总线搬运四周置 器，处置完成后，再将数据搬运回存储器停止存储。搬运时候常常是运算时候的成百上 千倍，能效很是低即称为“功耗墙”。
今朝存算技术按照以下历史门路顺序演进： A、查存计较（Processing With Memory）：GPU 中对于复杂函数就采用了这类计较 方式，是早已落地多年的技术。经过在存储芯片内部查表来完成计较操纵。这是最早期 的技术。 B、近存计较（Computing Near Memory）：典型代表是 AMD 的 Zen 系列 CPU。计较 操纵由位于存储地区内部的自力计较芯片/模块完成。这类架构设想的代际设想本钱较低， 合适传统架构芯片转入。将 HBM 内存（包含三星的 HBM-PIM）与计较模组（裸 Die）封 装在一路的芯片也属于这一类。近存计较技术早已成熟，被普遍利用在各类 CPU 和 GPU 上。 C、存内计较（Computing In Memory）：典型代表是 Mythic、千芯科技、闪亿、知存、 九天睿芯等。计较操纵由位于存储芯片/地区内部的自力计较单元完成，存储和计较可以 是模仿的也可以是数字的。这类门路一般用于算法牢固的场景算法计较。 D、存内逻辑（Logic In Memory）：这是较新的存算架构，典型代表包含 TSMC（在 2021 ISSCC 颁发）和千芯科技。这类架构数据传输路子最短，同时能满足大模子的计较 精度要求。经过在内部存储中增加计较逻辑，间接在内部存储履行数据计较。
4.2.2 国外龙头占据行业把持职位，国内厂商积极计划
进入互联网时代后，全球数据发生量快速爬升，数据发生量爆发式增加，出格是在野生 智能、云计较、物联网布景的展开下，按照 IDC 估量 2025 年数据发生量将到达 175ZB， 市场对数据的汇集、存储、处置要求将不竭进步。存算一体芯片势必从端侧小算力市场 慢慢扩大到全部 AI 芯片范畴。未来行业将会显现延续走高的态势。量子位智库预估 2025 年，国内存算一体芯片市场范围为 125 亿元，2030 年为 1136 亿群众币，CAGR 为 55%。



今朝可用于存算一体的成熟存储器有 NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM、NVRAM 等。SRAM 在速度方面和能效例如面具有上风，出格是在存内逻辑技术展开起来以后具 有明显的高能效和高精度特点。DRAM 本钱低，容量大，可是速度慢，且需要电力不竭 革新。适用存算一体的新型存储器有 PCAM、MRAM、RRAM 和 FRAM 等。其中忆阻器 RRAM 在神经收集计较中具有出格的上风，是除了 SRAM 存算一体之外的，下一代存算 一体介质的支流研讨标的目标。今朝 RRAM 间隔工艺成熟还需要 2-5 年，材料不稳定，但 RRAM 具有高速、机关简单的优点，有希望成为未来展开最快的新型存储器。 学术界和财富界对存算一体的技术路子尚未组成同一的分类，今朝支流的分别方式是依 照计较单元与存储单元的间隔，将其大致分为近存计较（PNM）、存内处置（PIM）、存内 计较（CIM）。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所挑选的即是近存计较（PNM）。 特斯拉：在 Hot Chips 大会上，公司测算 Dojo（AI 练习计较机）所用的 D1 芯片相比于 同一时候的业内其他芯片，同本钱下性能提升 4 倍，同能耗下性能进步 1.3 倍，占用空 间节省 5 倍。 阿里达摩院：在 2021 年，公布采用夹杂键合（Hybrid Bonding）的 3D 堆叠技术相比传 统 CPU 计较系统。公司测算，相比一时候的存算一体芯片的性能提升 10 倍以上，能效 提升跨越 300 倍。 三星：在 2022 年 10 月，基于存内处置架构，公布存储器产物 HBM-PIM（严酷意义上是 PNM）。公司测算，与其他没有 HBM-PIM 芯片的 GPU 加速器相比，HBM-PIM 芯片将 AMD GPU 加速卡的性能进步了一倍，能耗均匀下降了约 50%。与仅装备 HBM 的 GPU 加速器 相比，装备 HBM-PIM 的 GPU 加速器一年的能耗下降了约 2100GWh。
知存科技：2022 年 3 月量产的基于 PIM 的 SoC 芯片 WTM2101 正式投入市场，公司认 为，对照同一时候产物实现 10 倍以上的能效提升。 亿铸科技：基于 CIM 框架、RRAM 存储介质的研发“全数字存算一体”大算力芯片，通 过削减数据搬运进步运算能效比，同时操纵数字存算一体方式保证运算精度，适用于云 端 AI 推理和边沿计较。 智芯科微：于 2022 年末推出业界首款基于 SRAM CIM 的边沿侧 AI 增强图像处置器。 特斯拉、三星、阿里巴巴等具有丰富生态的大厂以及英特尔，IBM 等传统的芯片大厂， 几近都在计划 PNM；而知存科技、亿铸科技、智芯科等草创公司，在逃注 PIM、CIM 等 “存”与“算”更密切的存算一体技术门路。大厂对存算一体架构提出的需求是“适用、 落地快”，而近存计较作为最接近工程落地的技术，成为大厂们的首选。而中国草创公司 们，由于建立时候较短、技术储备亏弱：缺少先辈 2.5D 和 3D 封装产能和技术，为打破 美国的科技把持，中国草创企业聚焦的是无需斟酌先辈制程技术的 CIM。
4.3 3D NAND：打破存储容量限制瓶颈
NAND 从 2D 到 3D 是大势所趋，可打破存储容量限制瓶颈。2D NAND 是在平面上对晶 体管尺寸停止微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩存在物理极限，展开 已趋缓。要在保持性能的情况下实现容量提升，3D NAND 成为支流标的目标。3D NAND 将 处置计划从进步制程工艺改变成多层堆叠，处置了 2D NAND 在增加容量的同时性能出 现下降的题目，实现容量、速度、能效及牢靠性等多方位的提升。



3D NAND 的层数不竭在展开。从最早的 24 层、48 层，展开到现在 238 层以致 300 层， 在未来以致会打破 500 层。据 TechPowerup 先容，SK 海力士最新第 8 代 3D NAND 闪 存，容量为 1Tb（128GB），具有三级单元和跨越 20Gb/mm²的位密度（bit density）。该 芯片的页容量（page size）为 16KB，具有四个 planes，接口授输速度为 2400MT/s，最 高吞吐量为 194MB/s（相比第 7 代 238 层 3D NAND 闪存进步了 18%）。密度的提升将 下降制造进程中每 Tb 的本钱，终端消耗者终极能从性能和容量的提升中受益。
三星已经完成了第八代 V-NAND 技术产物的开辟，仓库层数到达了 236 层，2022 年 11 月已量产。SK 海力士已公布颁发研发出了 238 层 NAND 闪存，估量 2023 年 H1 大范围量产。 美光 232 层 NAND 已于 2022 年 12 月为消耗类装备出货。国内厂商长江存储也于今年 8 月份公布了 232 层的 3D NAND 闪存芯片 X3-9070，且于 2022 年 12 月或将利用于国内 部分品牌客户产物。
鄙人流利用范畴中，移动装备和数据中心是 3D NAND 技术的首要利用范畴，随 ChatGPT 等野生智能带来大数据存储的巨量级需求增加，未来 3D NAND 技术或将快速且进一步 升级。
五、重点公司分析

5.1 兆易创新：业绩高速增加，看平台化公司若何打造
安身中国覆盖全球，产物品类不竭扩大。兆易创新建立于 2005 年 4 月，是一家安身中 国的全球化芯片设想公司。公司努力于各类存储器、控制器及周边产物的设想研发。公 司在上海、合肥、中国香港设有全资子公司、在深圳设有分公司，在中国台湾省设有办 事处，并在日韩、美国等地经过产物分销商为客户供给当地化效力。公司产物包含 NOR Flash、NAND Flash、DRAM 以及 MCU 等，普遍利用于移动终端、消耗电子、小我电脑、 办公装备、汽车电子及产业控制装备等多个范畴。 公司作为 NorFlash 龙头积极拓展 DRAM 市场，已于 2021 年 6 月成功量产自有品牌 19nmDRAM，未来将朝 17nm 演进。公司 2023 年 3 月 1 日通告，与合肥长鑫存储发生 采购 DRAM 产物及代产营业，22 年与长鑫的现实采购额 8.74 亿元（其中自研 2.61 亿 元，代销 6.13 亿元），估量 23H1 与长鑫关联买卖金额估量约为 5.55 亿元（其中自研 2.08 亿元，代销 3.47 亿元）。 公司营收近年来稳步增加，即使在今年芯片行业隆冬的大布景下，公司前三季度营收依 然保持正增加。更加宝贵的是，公司的扣非归母净利润延续 2021 年远高于营收增速的 态势，2022 前三季度，公司归母净利润同比增速达 26.92%。
公司业绩高增的一大缘由系终年高投入的研发支出，带来了杰出的功效转化，并以此建 立深厚的技术壁垒。利润率水平来看，公司毛利率水平底子保持在 40%左右，且近两年 有所上升，2022 年前三季度公司毛利率达 48%，对应净利润率达 31%。



公司围绕智能化时代数据的感、存、算、控、联五个方面，涵盖消耗、汽车、产业等多 个范畴，以存储器件为切入点，供给焦点 IC 器件和响应软件一体化配套。具体来看： 1）产物种别扩大：围绕智能化不竭扩大之内生展开（召募资金用于 DRAM 研发）和外 延并购（收买上海思立微电子）为主，慢慢从 NOR Flash、NAND Flash 和 MCU 扩大至 DRAM 和 Sensor。 2）平台化搭建：经过利用范畴的扩大完善以智能化为焦点的产物计划，并实现已有产物 的不竭迭代和工艺制程的延续升级，驱动公司平台系统建立日益完善。其中： （a）NOR Flash：工艺平台从 2018 年的 65nm 慢慢实现 55nm 量产，并于 2022 年推 动 45nm 工艺平台的研发。同时不竭针对产物性能停止打磨，推陈出新。 （b）NAND Flash：工艺制程从 2018 年的 38nm 慢慢实现 24nm 量产，并初步停止 19nm 的研发。同时不竭针对车规市场停止斥地计划和研发。 （c）MCU：产物覆盖慢慢从 55nm 至 40nm 再到 22nm 制程，并针对物联网、工控和 汽车范畴不竭扩大。 （d）DRAM：慢慢实现从 19nm DDR4 产物量产至 17nm DDR3 产物研发。 （e）Sensor：在已有 LCD 较全品类的根抵上停止 OLED 相关产物的研发，并行将推出 OLED 相关产物。
5.2 北京君正：收买北京矽成进入存储芯片市场，业绩高速增加、利润率有 所修复
老牌 IC 设想企业，收买北京矽成进军拓展存储市场。北京君正于 2005 年景立，是一家 集成电路设想企业，具有全球领先的 32 位嵌入式 CPU 技术和低功耗技术。公司主营业 务为微处置器芯片、智能视频芯片等 ASIC 芯片产物及整体处置计划的研发和销售，拥 有较强的自立创新才能，且已组成可延续展开的梯队化产物计划，各类芯片产物分袂面向分歧市场范畴。北京君正于 2020 年完成对北京矽成（ISSI）及其部下子品牌 Lumissil 的收买，具有其 100%股份。ISSI 存储部分有高速低功耗 SRAM，低中密度 DRAM， NOR/NAND Flash，嵌入式 Flash pFusion，及 eMMC 等芯片产物。 受益车规产物放量，公司业绩实现高速增加。2021 年公司营收达 52.74 亿元，同比增加 143.07%，2022 年前三季度公司营收达 42.19 亿元，同比增加 11.23%。2021 年公司扣 非归母净利润达 8.94 亿元，同比增速达 4265%，2022 年前三季度公司扣非归母净利润 达 7.17 亿元，同比增加 16.83%。
公司研发投入高速增加，利润率水平获得修复。2022 年前三季度公司研发支出达 4.64 亿元，远超 2020 年全年水平，同比 2021 年增加达 26.78%。公司毛利率始终保持较高 水平，2020 年毛利率下滑系收买子公司存货增值致使的毛利率下跌，2021 年公司调剂 敏捷，毛利率和净利率水平已底子规复至一般水平。2022 年前三季度公司毛利率达 38.65%，净利率达 17.19%。



5.3 雅克科技：全球先驱体焦点供给商，深度受益高性能存储需求
公司 1 月 19 日公布 2022 年业绩预告，归母净利润盈利 5.2-5.9 亿元，同比提升 55.34%- 76.25%。公司以为，LNG 保温复合材料及安装工程获得较大幅度增加，带动公司整体业 绩增加和毛利率上升。 公司 2022 年前三季度业绩，营收 31.67 亿元，同比提升 17.63%，公司实现归母净利润 4.63 亿元，同比上升 18.88%。2022 年 Q3 单季度看，实现营业支出 11.08 亿元，同比 上升 324.67%，实现归母净利润 1.82 亿元，同比提升 23.21%。
先驱体等半导体材料营业延续受益于国产替换。先驱体首要用于薄膜聚积环节，产物价 值量、用量随制程迭代快速增加。全球领先玩家包含默克、法液空、SKM、DNF 等，公 司市场份额有望稳步提升。看营业空间，1）高算力芯片搭配 HBM，HBM 对先驱体需求 及代价量明显提升；2）外洋存储客户整体稼动率见底，估量 2023 年 H2 将有所上升， 同时美光科技被检查进一步提升国产份额，利好国产材料供给商；3）国内存储厂延续扩 产，公司国内先驱体营业随下流爬坡放量延续长大。 复合板材是 LNG 运输船焦点材料，合作格式极佳，进入高景气周期。LNG 船需要在-163℃ 的极高温下运输液化自然气，且体积被紧缩跨越 600 倍的液化自然气若在有限空间内泄 漏，急剧收缩会发生物理爆炸。因此，LNG 运输船被人们称为“沉睡的氢弹”。而复合板材作为 LNG 运输船焦点材料，由金属薄膜、增倔强质闭孔聚氨酯泡沫、特别配方树脂制 成，不但起到保温隔热功用，且对 LNG 运输船只的安好性感化关键。LNG 船复合板材具 有极佳的合作格式和较长的下流认证周期，公司作为国内造船坞焦点供给商，具有全球 领先的深冷复合材料技术。我们以为此次沪东造船坞定单有望成为公司 LNG 板材营业需 求超预期的初步。此外，公司复合材料营业财富链的延续完善，有望使得营业盈利才能 提升，板材营业进入高景气周期。
5.4 东芯股份：国内 SLC NAND 龙头，短期业绩有望快速修复
公司表露业绩 2022 年年度业绩快报。2022 年公司营收 11.49 亿元，同比增加 1.34%。 公司实现归母净利润 1.85 亿元，同比下降 29.51%。 单季度看，公司 2022 年 Q3 实现营业支出 2.34 亿元，环比下降 36.63%，同比下降 29.17%，实现归母净利润 5644 万元，环比削减 46.01%，同比下降 36.01%，2022 年 第三季度业绩下滑首要系市场景心胸下降而至。盈利才能方面，2022 年 Q3 单季度毛利 率为 30.27%，整体前三季度毛利率达 42.23%，同比提升 3.64pct。用度方面，公司前 三季度研发用度达8393万元，同比增加77.08%，研发费率到达8.86%，同比提升2.82pct。



公司慢慢实现产物产物线拓展及技术创新 1）NAND Flash 方面：公司作为 SLC NAND 范畴龙头企业，焦点技术上风明显，实现了 从 1Gb 到 32Gb 系列产物设想研发的全覆盖。公司开辟的车规产物正在停止 AEC-Q100 考证，同时先辈制程的 19nm 已完成首轮晶圆流片，处于国际领先职位。 2）NOR Flash 方面：公司自立设想的 SPI NORFlash 存储容量覆盖 2Mb 至 256Mb。支撑 多种数据传输形式，今朝公司已经为三星电子、LG、传音控股、歌尔股份等中外著名终 端客户供给产物。 3）DRAM 方面：公司研发的 DDR3 具有高带宽、低延时等特点，在研的 LPDDR4x 进度 合适公司预期，首要针对基带市场和模块类客户。
5.5 深科技：存储芯片封测领先者，定增加码产能
存储芯片封测领先者。在半导体封测营业范畴，公司首要处置高端存储芯片的封装与测 试，产物包含静态随机存取存储器（DRAM）、NAND 型闪存（NAND FLASH）以及嵌入式 存储芯片，具体有双倍速度同步静态随机存储器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗双倍 速度同步静态随机存储器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、合适内嵌式存储器标准规格 的低功耗双倍速度同步静态随机存储器（eMCP4）等。 定增加码存储芯片封测产能。公司定增募资 14.62 亿元投向存储先辈封测与模组制造项 目。合肥沛顿已经过现有客户封装产物大范围量产考核，计划下半年进一步积极导入新 客户。公司积极计划高端封测，计划建立凸点（Bumping）项目，今朝净化间施工和首线 装备采购正同步停止。未来，公司将以满足重点客户产能需求和增强先辈封装技术研发 为目标，聚焦倒装工艺（Flip-chip）、POPt 堆叠封装技术的研发、16 层超薄芯片堆叠技 术的优化，努力成为存储芯片封测标杆企业。
公司表露业绩 2022 年第三季度业绩陈说。2022 前三季度公司营收 120 亿元，同比下滑 2.08%，公司实现归母净利润 5.75 亿元，同比上升 11.32%。单季度看，公司 2022 年 Q3 实现营业支出 44.6 亿元，环比上升 14.3%，同比上升 3.43%，实现归母净利润 1.2亿元，环比削减 43.66%，同比下降 50.9%。盈利才能方面，2022 年 Q3 单季度毛利率 为 3.31%，整体前三季度毛利率达 11.24%，同比提升 16.6%。用度方面，公司前三季 度研发用度达 2.25 亿元，同比下降 27.4%，研发费率 1.87%，与上一年度底子持平。
5.6 普冉股份：存储行业新星，发力产业控制和车载范畴
存储行业新星，两大产物线齐头并进。公司首要产物包含 NOR Flash 和 EEPROM 两大类 非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模仿产物。公司表露 2022 年年度业绩快报。 2022 年公司营收 9.25 亿元，同比下滑 16.15%。公司实现归母净利润 0.83 亿元，同比 下降 71.44%。业绩下滑首要受市场需求疲软，产物线出货量和价格下降影响。 单季度看，公司 2022 年 Q4 实现营业支出 1.61 亿元，同比下降 42.31%，实现归母净利 润-0.55 亿元，同比削减 180.49%。用度方面，公司 2022 年研发用度达 1.49 亿元，同 比上升 64%。



延续拓展品类，发力产业控制和车载范畴。公司 EEPROM 车载产物完成 AEC-Q100 标准 的周全考核，在车身摄像头、车载中控、文娱系统等利用上实现了海内外客户的批量交 付，汽车电子产物营收占比明显提升；今朝公司超大容量 EEPROM 系列开辟完成，支撑 SPI/I2C 接口和最大 4Mb 容量，其中 2Mb 产物批量用于高速宽带通讯和数据中心。 公司产物先容以下： 1）NOR Flash：公司 NOR Flash 产物采用电荷俘获(SONOS)及浮栅(ETOX)工艺机关，提 供了 512Kbit 到 128Mbit 容量的系列产物，覆盖 1.65V-3.6V 的操纵电压区间，具有低功 耗、高牢靠性、快速擦除和快速读取的良好性能，下流利用范畴集合在蓝牙、IOT、TDDI、 AMOLED、产业控制等相关市场。今朝 NOR Flash 行业支流工艺制程为 55nm，公司 40nm 工艺制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列产物均已实现量产，处于行业内领先技术水 平。 2）EEPROM：公司已组成覆盖 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 产物系列，操纵电压覆盖 1.7V-5.5V，首要采用 130nm 工艺制程，具有高牢靠性、面积小、性价比高档上风，可 擦写次数可到达 400 万次，数据连结时候可达 200 年。公司 EEPROM 产物利用范畴集合 在手机摄像头模组、产业控制、汽车电子、家电、计较机周边等范畴。今朝 EEPROM 产 品国内行业支流工艺制程为 130nm，公司 95nm 及以下工艺制程下产物已实现量产，领 先于业界支流工艺制程。
5.7 佰维存储：存储芯片小伟人，短期业绩承压
存储芯片小伟人，嵌入式存储为营业基石。公司首要处置半导体存储器的存储介质利用 研发、封装测试、消耗和销售，首要产物及效力包含嵌入式存储、消耗级存储、产业级 存储及先辈封测效力。按照中国闪存市场调研数据，公司 eMMC 及 UFS 在全球市场占有 率到达 2.4%，排名全球第 8，国内第 2。公司表露 2022 年年度业绩快报。2022 年公司 营收 29.74 亿元，同比增加 13.98%。公司实现归母净利润 0.73 亿元，同比下降 37.24%。 业绩下滑首要受市场需求疲软，研发投入加大影响。 单季度看，公司 2022 年 Q3 实现营业支出 8.01 亿元，同比上升 42.27%，实现归母净利 润 0.27 亿元，到达上一年度 26 倍。盈利才能方面，2022 年 Q3 单季度毛利率为 3.25%， 整体前三季度毛利率达 14.77%，同比下降 15.84%。用度方面，公司前三季度研发用度 达 0.94 亿元，同比下降 12.15%，研发费率 4.28%，较上一年度上升 4.39%。
公司产物可分为以下三类： 1）嵌入式存储：公司嵌入式存储产物范例覆盖了 ePOP、eMCP、eMMC、UFS、BGASSD、 LPDDR、MCP、SPI NAND 等，普遍利用于手机、平板、智能穿着、无人机、智能电视、 笔记本电脑、智能车载、机顶盒、智能工控、物联网等范畴。其中，车载存储器产物的 设想和消耗到达车规标准，于 2018 年获得 IATF16949:2016 汽车质量打点系统认证。 2）消耗级存储：公司的消耗级存储包含固态硬盘、内存条和移动存储器产物，首要利用 于消耗电子范畴。公司固态硬盘产物传输速度最高可达 7,400MB/s，处于行业领先职位； 公司已正式公布 DDR5 内存模组，传输速度已达 5,200Mbps，未来可达 6,400Mbps。 3）产业级存储：包含工规级 SSD、车载 SSD 及产业级内存模组等，首要面向产业类细 分市场，利用于 5G 基站、智能汽车、聪明城市、产业互联网、高端医疗装备、聪明金融 等范畴。
5.8 香农芯创：AI 效力器需求增加，带动内存有望提升
公司 1 月 16 日公布 2022 年业绩预告，归母净利润盈利 2.6-3.4 亿元，同比提升 16.16%- 51.90%。公司 2022 年前三季度业绩，营收 107.67 亿元，同比提升 132.20%，公司实 现归母净利润 1.55 亿元，同比上升 10.47%。2022 年 Q3 单季度看，实现营业支出 21.23 亿元，同比下降 52.74%，实现归母净利润-0.09 亿元，同比下降 111.90%。在国内外多 重身分影响下，自 2022 年第三季度存储器需求放缓、价格下滑。因此第三季度，公司半 导体分销板块的支出下降、利润下滑。 公司作为外洋大客户国内分销厂商，将积极开辟新客户，安定与焦点原厂的合作关系。 公司将在保护现有客户、进步客户黏性的同时，阐扬自己在上风范畴的合作上风和杰出 口碑，延续开辟新客户，不竭安定与焦点原厂的合作关系。同时公司将积极保护与现有 首要客户的合作关系，深度挖发掘户需求及多维度合作的能够性，提升效力质量，按照 市场情况当令调剂运营战略。
公司以为，云计较是典型的重资产行业，需要延续、大量的本钱投入。今朝国内支流云 厂商本钱支出和市场占有率与全球云效力巨头亚马逊收集效力（AWS）、微软（Microsoft Azure）、谷歌（Google Cloud）相比仍有较大差异。受益于国家政策支撑以及数据中心 利用处景的不竭丰富，加上数字化转型为持久、系统性的趋向，存储器采购需求上暗示 为刚性及稳定的特点，为公司的延续、稳定展开供给了坚固的根抵。



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精选陈说来历：【未来智库】。

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